碳化硅（SiC）单晶材料作为第三代半导体材料的代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和迁移率高及 抗辐射能力强等优越性能，既可以满足功率器件对耐高温、大功率、高电压的要求，也可以满足射频器件对于高导热和抗辐射 等需求，在电动车、新能源、通讯领域具有巨大的应用前景。
碳化硅作为衬底材料，由于自身硬度高、加工难度大，采用传统的刀轮切割技术，面临着加工效率低、环境负担重、材料 损耗大等问题，导致生产成本高，价格昂贵，难以大规模应用。
半导体材料常见类型
加工原理与流程
激光加工的优势： 非接触式加工，加工图案灵活，无应力破坏，可实时切换；
高速异形切割，划线速度可达到300mm/s，综合效率极高；
激光加工没有耗材，无碎屑粉尘产生、激光器使用寿命达2万 小时或以上；
激光隐形切割没有材料去除，单片晶圆产晶粒比例高。