隐形切割技术是将半透明波长的激光束聚集在晶圆内部，形成一个分割用的起点（改质层：以下称之为SD层），再对晶圆片施以外力将其分割成小片芯片的切割技术。
目前业内半导体硅晶圆一般是背面研磨抛光，正面切割道布有一定的标记物。若采用隐形切割的方案，激光只能从其背面进行入射加工。
可细分为两种工艺：
单光点切割工艺：单光点切割是先从深的位置往上切割，直至炸宽到达表面形成微裂纹。
多光点切割工艺：为了改善激光划片效率及加工质量，利用衍射光学实现的多光点切割技术亦是一种有潜力的方案。
背切割加工能力：切割速度200-800 mm/s；可切割晶圆厚度50-700 μm；切割痕迹只有几个微米，切割道最小可留5-15 μ m；正面平均崩边小于5 um, 背面平均崩边小于3 um，切割中心偏移小于2 μ m。
MEMS全名微机电系统，是一种类似中空结构晶圆。一般正面除切割道（SI）是全厚度以外，中间功能区厚度就仅有几个微米。因为功能区超薄，无法用传统机械切割和激光烧蚀切割；此外背面隐形切割贴膜会粘连其功能区，对晶圆造成巨大破坏，所以必须采用正面隐形切割工艺。
正面切割加工能力：切割速度200-800 mm/s；
可切割晶圆厚度50-700 μm；
最小切割道宽度为片厚的1/4；
切割痕迹只有几个微米，切割道最小可留5-15 μ m；
正面平均崩边小于3 μ m, 背面平均崩边小于5 μ m，切割中心偏移小于2 μ m。